高純硅烷分析色譜主要特性
更新時間：2017-12-23 點擊次數：1621次
高純硅烷分析色譜主要特性
高純硅烷分析色譜應用領域：
硅烷在大規(guī)模集成電路（LSI）、超大規(guī)模集成電路（VLSI）和半導體器件制造中，用于氣相外延生長、化學氣相淀積等工藝（工序）。
1.外延（生長）混合氣在半導體工業(yè)中，在仔細選擇的襯底上選用化學氣相淀積的方法，生長一層或多層的材料所用的氣體叫做外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀積，多晶硅淀積，氧化硅膜淀積，氮化硅膜淀積，太陽能電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積等。外延生長是一種單晶材料淀積并生長在襯底表面上的過程。
2.化學氣體淀積（CVD）用混合氣CVD是利用揮發(fā)性化合物，通過氣相化學反應沉積某種單質或化合物的一種方法，即應用氣相化學反應的一種成膜的方法。依據成膜種類，使用的化學氣相淀積（CVD）氣體也不同。
高純硅烷分析色譜主要特性：
1、全兼容惠普HP5890II氣相色譜儀,可直接接駁HP5890微型單絲熱導檢測器、氫火焰離子化檢測器及相關檢測器控制板．儀器技術指標、性能，檢測器靈敏度可與ＨＰ５８９０相媲美！
2、全新集成數字電子電路，控制精度高，性能穩(wěn)定可靠，溫控精度可達０.０１℃．
3、*的進樣口設計解決進樣歧視；雙柱補償功能不僅解決升溫帶來的程序漂移，而且減去背景噪音的影響，可以得到更低的zui小的檢測限。
